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    LED技術突破

  • 發布日期:2021-07-10      瀏覽次數:325
    • 4 月21日消息 國星光電今日宣布,他們聯合華南理工大學聯合建立的廣東省半導體微顯示企業重點實驗室的最新研究成果發表在國際著名期刊《ACS Nano》。
       
      據介紹,該成果最終成功突破了量子點LED器件的發光效率瓶頸,刷新了同類器件最高發光效率行業紀錄,有望加快該新技術的商業化進程,并鞏固國星光電在Mini/Micro LED顯示器件領域的技術優勢地位。

       

      據稱,目前常用的硒化鎘、鈣鈦礦等量子點的光致發光效率已超過85%,高于傳統稀土熒光粉材料,然而封裝制成LED器件的發光效率普遍在50-130 lm/W(理論效率>200 lm/W),這一矛盾已困擾學界與行業多年。
       
      因此, 國星光電提出直方通孔復合量子點色轉換結構及其強化出光機制,利用濕法機械攪拌把量子點高效組裝于粒徑匹配的直方通孔結構,通孔結構被低折射率硅樹脂填充,所形成折射率差異可抑制熒光光子在通孔內部硅樹脂基材的傳播,顯著減少重吸收損耗。
       
      得益于此,他們最終成功突破了量子點LED器件的發光效率瓶頸,獲得超過200 lm/W的同類器件最高發光效率行業紀錄(經CNAS認證第三方機構檢測)。
       
      據了解,量子點色轉換技術是Mini/Micro LED、OLED以及LCD寬色域顯示的共性關鍵技術,在超清顯示、虛擬顯示等新興領域應用潛力。

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